Blitz – Stiri zilnice din IT, IT&C: tehnologie, internet, telecom, gadgets, jocuri
Stiri IT                    
Articole Comentarii Newsletter Contact Despre Blitz
Ultimele Stiri
Arhiva

June 2022
M T W T F S S
« Sep    
 12345
6789101112
13141516171819
20212223242526
27282930  
Stiri Populare
(none)

Memoriile flash ar putea atinge capacitati de 100 GB

22-02-2007, 09:52

Cercetatori coreeni au anuntat realizarea primilor semiconductori in tehnologie 10 nm, care ar putea duce la realizarea de memorii flash cu capacitate de pana la 100 GB.

Pana acum se credea ca memoriile flash vor atinge o limita naturala, facand imposibila scalabilitatea tehnologiei dincolo de structuri de 32 nm sau 22 nm. Noii semiconductori de 10 nm, realizati cu nanotuburi de carbon, ar putea schimba datele problemei.

Cheia noii tehnologii o reprezinta nanotuburile de carbon, care incep sa fie din ce in ce mai folosite in industria semiconductorilor. Acestea vor fi incluse in memoriile de tip NRAM, care vor fi lansate anul acesta, cu performante ridicate si consum de putere scazut comparativ cu memoriile DRAM. Nanotuburile de carbon ar putea fi folosite si in productia de harddisk-uri pentru a mari capacitatea acestora.

Noua tehnologie foloseste de asemenea un nou tip de material, numit “izolator Mott” (“Mott insulator”) care are capacitatea de a trece instantaneu de la starea de conducator de curent la cea de izolator.

Desi deocamdata nu este clara capacitatea pe care ar putea sa o atinga memoriile flash bazate de semiconductorii cu nanotuburi de carbon, autorii acestora vorbesc de posibilitatea de a include la un moment dat 1 miliard de pagini de ziar, ceea ce ar corespunde cu peste 100 GB de date.


Categorii: Accesorii, Tehnologie.

Scrie un comentariu:

(obligatoriu)
(obligatoriu, nu va fi publicat)

XHTML: Puteti folosi aceste tag-uri: <a href="" title=""> <abbr title=""> <acronym title=""> <b> <blockquote cite=""> <cite> <code> <del datetime=""> <em> <i> <q cite=""> <s> <strike> <strong>

 
Ziare.ro InfoPortal.ro Stiinta.info